ただ単に一覧として見れるものが欲しかったので,書きました。
1. 転送速度計算
DDRn-○○○の「○○○」は MT/s というスループットを指す。言い換えると Mbit/(s・pin)。ここで出てくる pin とはデータ通信に使うバス幅のこと。一般的なモジュールでは 64-bit なので,64 pin と表現する*1。
例として,DDR4-3200 を上げると,
3200 Mbit/(s・pin) × 64 pin = 204,800 Mbps
単位を直すと,25.6 GB/s
2. DDR SDRAM
- 電圧: 2.5V(DDR-400 のみ 2.6V)
- バス幅: 64-bit
- プリフェッチ: 2n
- 4 バンク
チップ規格 | メモリークロック [MHz] | バスクロック [MHz] | タイミング | 1ch スループット [MB/s] |
---|---|---|---|---|
DDR-200 | 100 | 100 | N/A | 1600 |
DDR-266 | 133⅓ | 133⅓ | 2.5-3-3 | 2133⅓ |
DDR-333 | 166⅔ | 166⅔ | N/A | 2666⅔ |
DDR-400A | 200 | 400 | 2.5-3-3 | 3200 |
DDR-400B | 200 | 400 | 3-3-3 | 3200 |
DDR-400C | 200 | 400 | 3-4-4 | 3200 |
JEDEC で規格がないものには DDR2-900, 1000, 1150, 1200 など。
3.1 低電圧版
- LV-DDR2 (DDR2L) 1.5V
- LPDDR2 1.2V (バス幅は 32-bit)
3. DDR2 SDRAM
- 電圧: 1.8V
- バス幅: 64-bit
- プリフェッチ: 4n
- 4 または 8 バンク
チップ規格 | メモリークロック [MHz] | バスクロック [MHz] | タイミング | 1ch スループット [MB/s] |
---|---|---|---|---|
DDR2-400B | 100 | 200 | 3-3-3 | 3200 |
DDR2-400C | 100 | 200 | 4-4-4 | 3200 |
DDR2-533B | 133⅓ | 266⅔ | 3-3-3 | 3200 |
DDR2-533C | 133⅓ | 266⅔ | 4-4-4 | 4264 |
DDR2-667C | 166⅔ | 333⅓ | 4-4-4 | 5336⅔ |
DDR2-667D | 166⅔ | 333⅓ | 5-5-5 | 5336⅔ |
DDR2-800C | 200 | 400 | 4-4-4 | 6400 |
DDR2-800D | 200 | 400 | 5-5-5 | 6400 |
DDR2-800E | 200 | 400 | 6-6-6 | 6400 |
DDR2-1066E | 266⅔ | 533⅓ | 6-6-6 | 8533⅓ |
DDR2-1066F | 266⅔ | 533⅓ | 7-7-7 | 8533⅓ |
JEDEC で規格がないものには DDR2-900, 1000, 1150, 1200 など。
3.1 低電圧版
- LV-DDR2 (DDR2L) 1.5V
- LPDDR2 1.2V (バス幅は 32-bit)
4. DDR3 SDRAM
- 電圧: 1.5V
- バス幅: 64-bit
- プリフェッチ: 8n
- 8 バンク
チップ規格 | メモリークロック [MHz] | バスクロック [MHz] | タイミング | 1ch スループット [MB/s] |
---|---|---|---|---|
DDR3-800D | 100 | 400 | 5-5-5 | 6400 |
DDR3-800E | 100 | 400 | 6-6-6 | 6400 |
DDR3-1066E | 133⅓ | 533⅓ | 6-6-6 | 8533⅓ |
DDR3-1066F | 133⅓ | 533⅓ | 7-7-7 | 8533⅓ |
DDR3-1066G | 133⅓ | 533⅓ | 8-8-8 | 8533⅓ |
DDR3-1333F* | 166⅔ | 666⅔ | 7-7-7 | 10666⅔ |
DDR3-1333G | 166⅔ | 666⅔ | 8-8-8 | 10666⅔ |
DDR3-1333H | 166⅔ | 666⅔ | 9-9-9 | 10666⅔ |
DDR3-1333J* | 166⅔ | 666⅔ | 10-10-10 | 10666⅔ |
DDR3-1600G* | 200 | 800 | 8-8-8 | 12800 |
DDR3-1600H | 200 | 800 | 9-9-9 | 12800 |
DDR3-1600J | 200 | 800 | 10-10-10 | 12800 |
DDR3-1600K | 200 | 800 | 11-11-11 | 12800 |
DDR3-1866J* | 233⅓ | 933⅓ | 10-10-10 | 14933⅓ |
DDR3-1866K | 233⅓ | 933⅓ | 11-11-11 | 14933⅓ |
DDR3-1866L | 233⅓ | 933⅓ | 12-12-12 | 14933⅓ |
DDR3-1866M* | 233⅓ | 933⅓ | 13-13-13 | 14933⅓ |
DDR3-2133K* | 266⅔ | 1066⅔ | 11-11-11 | 17066⅔ |
DDR3-2133L | 266⅔ | 1066⅔ | 12-12-12 | 17066⅔ |
DDR3-2133M | 266⅔ | 1066⅔ | 13-13-13 | 17066⅔ |
DDR3-2133N* | 266⅔ | 1066⅔ | 14-14-14 | 17066⅔ |
(*) optional
JEDEC で規格がないものには DDR3-2400, 2666, 2800 など。
4.1 低電圧版
- DDR3L (DDR3 Low Voltage) 1.35V
- DDR3U (DDR3 Ultra Low Voltage) 1.25V
5. DDR4 SDRAM
- 電圧: 1.2V
- バス幅: 64-bit
- プリフェッチ: 8n
- 4 バンク × 2 または 4 バンクグループ = 8 または 16 バンク
チップ規格 | メモリークロック [MHz] | バスクロック [MHz] | タイミング | 1ch スループット [MB/s] |
---|---|---|---|---|
DDR4-1600J* | 200 | 800 | 10-10-10 | 12800 |
DDR4-1600K | 200 | 800 | 11-11-11 | 12800 |
DDR4-1600L | 200 | 800 | 12-12-12 | 12800 |
DDR4-1866L* | 233⅓ | 933⅓ | 12-12-12 | 14933⅓ |
DDR4-1866M | 233⅓ | 933⅓ | 13-13-13 | 14933⅓ |
DDR4-1866N | 233⅓ | 933⅓ | 14-14-14 | 14933⅓ |
DDR4-2133N* | 266⅔ | 1066⅔ | 14-14-14 | 17066⅔ |
DDR4-2133P | 266⅔ | 1066⅔ | 15-15-15 | 17066⅔ |
DDR4-2133R | 266⅔ | 1066⅔ | 16-16-16 | 17066⅔ |
DDR4-2400P | 300 | 1200 | 15-15-15 | 19200 |
DDR4-2400R | 300 | 1200 | 16-16-16 | 19200 |
DDR4-2400T | 300 | 1200 | 17-17-17 | 19200 |
DDR4-2400U | 300 | 1200 | 18-18-18 | 19200 |
DDR4-2666T | 333⅓ | 1333⅓ | 17-17-17 | 21333⅓ |
DDR4-2666U | 333⅓ | 1333⅓ | 18-18-18 | 21333⅓ |
DDR4-2666V | 333⅓ | 1333⅓ | 19-19-19 | 21333⅓ |
DDR4-2666W | 333⅓ | 1333⅓ | 20-20-20 | 21333⅓ |
DDR4-2933V | 366⅔ | 1466⅔ | 19-19-19 | 23466⅔ |
DDR4-2933W | 366⅔ | 1466⅔ | 20-20-20 | 23466⅔ |
DDR4-2933Y | 366⅔ | 1466⅔ | 21-21-21 | 23466⅔ |
DDR4-2933AA | 366⅔ | 1466⅔ | 22-22-22 | 23466⅔ |
DDR4-3200W | 400 | 1600 | 20-20-20 | 25600 |
DDR4-3200AA | 400 | 1600 | 22-22-22 | 25600 |
DDR4-3200AC | 400 | 1600 | 24-24-24 | 25600 |
(*) optional
JEDEC で規格がないものには DDR4-2800, 3000, 3400, 3600, 3733, 3800, 4000, 4266 など。
6. DDR5 SDRAM
- 電圧: 1.1V
- バス幅: 64-bit
- プリフェッチ: 16n
- 4 バンク × 4 または 8 バンクグループ = 16 または 32 バンク
7. GDDR 系
7.1 GDDR5 SDRAM: 3.6 - 8 Gbps
- 電圧: 1.5V または 1.35V
- バス幅: 32-bit または 16-bit
- プリフェッチ: 8n × 2
- 8 または 16 バンク
7.2 GDDR5X SDRAM: 10 - 14 Gbps
- 電圧: 1.35V
- バス幅: 32-bit または 16-bit
- プリフェッチ: 16n × 2
- 16 バンク
7.3 GDDR6 SDRAM: 14 - 16 Gbps
- 電圧: 1.35V または 1.25V
- バス幅: 2ch × 16-bit または 8-bit
- プリフェッチ: 16n × 2
- 16 バンク
7.3 GDDR6X SDRAM: 19 - 21 Gbps
- 電圧: 1.35V または 1.25V
- バス幅: 2ch × 16-bit または 8-bit with NRZ (PAM2) or PAM4
- プリフェッチ: 16n × 2
- 16 バンク
まとめ
改めて整理していて思ったのですが,DDR3 から 4 へは,大容量化と省電力化の 2 つを主に取り込んでいて,タイミングはかなり緩まっている感じありますね。DDR3 では DDR3-2133K (11-11-11) が定義されたのに,DDR4 では DDR4-2133N (14-14-14) とかなり緩んだ仕様が最小設定になっているようです。よって,10ns から 12.5ns に CAS Latency が全体として悪化しているといえます。
間違っているところもあるかもしれませんが,自分のメモ用に記述したってことで。